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VS-ETH1506-1HM3

VS-ETH1506-1HM3

僅供參考

型號 VS-ETH1506-1HM3
PNEDA編號 VS-ETH1506-1HM3
描述 DIODE GEN PURP 600V 15A TO262AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-ETH1506-1HM3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-ETH1506-1HM3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-ETH1506-1HM3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.45V @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)42ns
當前-反向泄漏@ Vr15µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262AA
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

30A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 30A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

27µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.94V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

23ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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150V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

250V

電流-平均整流(Io)

5.4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

700µA @ 250V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-252AA

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20V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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