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VS-ETH3006-M3

VS-ETH3006-M3

僅供參考

型號 VS-ETH3006-M3
PNEDA編號 VS-ETH3006-M3
描述 DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 52,692
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-ETH3006-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-ETH3006-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-ETH3006-M3, VS-ETH3006-M3數據表 (總頁數: 9, 大小: 202.94 KB)
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VS-ETH3006-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.65V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)26ns
當前-反向泄漏@ Vr30µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220-2
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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700mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

210pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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200V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 200V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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