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VS-ETU1506STRL-M3

VS-ETU1506STRL-M3

僅供參考

型號 VS-ETU1506STRL-M3
PNEDA編號 VS-ETU1506STRL-M3
描述 DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-ETU1506STRL-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-ETU1506STRL-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-ETU1506STRL-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.07V @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)210ns
當前-反向泄漏@ Vr15µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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50V

電流-平均整流(Io)

30mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 40V

電容@ Vr,F

2.1pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.02V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 120V

電容@ Vr,F

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