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VS-ETU1506STRR-M3

VS-ETU1506STRR-M3

僅供參考

型號 VS-ETU1506STRR-M3
PNEDA編號 VS-ETU1506STRR-M3
描述 DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 22 - 十二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-ETU1506STRR-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-ETU1506STRR-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-ETU1506STRR-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.07V @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)210ns
當前-反向泄漏@ Vr15µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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工作溫度-結點

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.02V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

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