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VS-FB180SA10P

VS-FB180SA10P

僅供參考

型號 VS-FB180SA10P
PNEDA編號 VS-FB180SA10P
描述 MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-FB180SA10P資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-FB180SA10P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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VS-FB180SA10P規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.5mOhm @ 180A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs380nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)480W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1358pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 140A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5730pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1805pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.08W (Ta), 2.97W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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1.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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3.4mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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