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VS-GB100TH120N

VS-GB100TH120N

僅供參考

型號 VS-GB100TH120N
PNEDA編號 VS-GB100TH120N
描述 IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-GB100TH120N資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-GB100TH120N
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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VS-GB100TH120N規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
功率-最大833W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.35V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce8.58nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Double INT-A-PAK (3 + 4)
供應商設備包裝Double INT-A-PAK

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

63nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

31nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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No

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