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VS-GB150TH120N

VS-GB150TH120N

僅供參考

型號 VS-GB150TH120N
PNEDA編號 VS-GB150TH120N
描述 IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-GB150TH120N資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-GB150TH120N
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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VS-GB150TH120N規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)300A
功率-最大1008W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.35V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce11nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Double INT-A-PAK (3 + 4)
供應商設備包裝Double INT-A-PAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

125A

功率-最大

640W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1.3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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輸入電容(Cies)@ Vce

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NTC熱敏電阻

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當前-集電極(Ic)(最大值)

125A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

74A

功率-最大

290W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

400µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.4nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

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5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.3nF @ 25V

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NTC熱敏電阻

Yes

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