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VS-GB150TS60NPBF

VS-GB150TS60NPBF

僅供參考

型號 VS-GB150TS60NPBF
PNEDA編號 VS-GB150TS60NPBF
描述 IGBT 600V 138A 500W INT-A-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-GB150TS60NPBF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-GB150TS60NPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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VS-GB150TS60NPBF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型NPT
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)138A
功率-最大500W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)200µA
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱INT-A-PAK (3 + 4)
供應商設備包裝INT-A-PAK

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250A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 250A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

69nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

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-

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

121A

功率-最大

379W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 130A

當前-集電極截止(最大值)

1.2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.2nF @ 25V

輸入

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NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

54A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

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Yes

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