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VS-GB75LP120N

VS-GB75LP120N

僅供參考

型號 VS-GB75LP120N
PNEDA編號 VS-GB75LP120N
描述 IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,228
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 19 - 二月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-GB75LP120N資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-GB75LP120N
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
VS-GB75LP120N, VS-GB75LP120N數據表 (總頁數: 7, 大小: 119.26 KB)
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VS-GB75LP120N規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)170A
功率-最大658W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.82V @ 15V, 75A (Typ)
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce5.52nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱INT-A-PAK (3 + 4)
供應商設備包裝INT-A-PAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

450A

功率-最大

1150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

26nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.8nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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Module

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

360A

功率-最大

1100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 225A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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制造商

Powerex Inc.

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IGBT類型

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

2160W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

85nF @ 10V

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

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NTC熱敏電阻

Yes

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