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VS-GB75TP120U

VS-GB75TP120U

僅供參考

型號 VS-GB75TP120U
PNEDA編號 VS-GB75TP120U
描述 IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 11 - 一月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-GB75TP120U資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-GB75TP120U
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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VS-GB75TP120U規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)105A
功率-最大500W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 75A (Typ)
當前-集電極截止(最大值)2mA
輸入電容(Cies)@ Vce4.3nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱INT-A-PAK (3 + 4)
供應商設備包裝INT-A-PAK

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1800A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 1800A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

145nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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1200V

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69A

功率-最大

335W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

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輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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160A

功率-最大

625W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.35V @ 15V, 80A

當前-集電極截止(最大值)

650µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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