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VS-HFA04SD60STR-M3

VS-HFA04SD60STR-M3

僅供參考

型號 VS-HFA04SD60STR-M3
PNEDA編號 VS-HFA04SD60STR-M3
描述 DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-HFA04SD60STR-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-HFA04SD60STR-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-HFA04SD60STR-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列HEXFRED®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)42ns
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-PAK (TO-252AA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

600ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

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