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VS-HFA08TA60C-N3

VS-HFA08TA60C-N3

僅供參考

型號 VS-HFA08TA60C-N3
PNEDA編號 VS-HFA08TA60C-N3
描述 DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-HFA08TA60C-N3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-HFA08TA60C-N3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-HFA08TA60C-N3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列HEXFRED®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)155ns
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 600V

電容@ Vr,F

150pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

2.2ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 6V

電容@ Vr,F

6.1pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

800mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.5V @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 1200V

電容@ Vr,F

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