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VS-HFA16TB120S-M3

VS-HFA16TB120S-M3

僅供參考

型號 VS-HFA16TB120S-M3
PNEDA編號 VS-HFA16TB120S-M3
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 23,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 7 - 一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-HFA16TB120S-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-HFA16TB120S-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-HFA16TB120S-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列HEXFRED®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)16A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3.93V @ 32A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)135ns
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

14pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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45V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

280µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

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反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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1500V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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