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VS-HFA25TB60SL-M3

VS-HFA25TB60SL-M3

僅供參考

型號 VS-HFA25TB60SL-M3
PNEDA編號 VS-HFA25TB60SL-M3
描述 DIODE GEN PURP 600V 25A D2PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,202
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-HFA25TB60SL-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-HFA25TB60SL-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-HFA25TB60SL-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列HEXFRED®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)25A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2V @ 50A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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60V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

590mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 50V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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SOD-123

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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800V

電流-平均整流(Io)

1.4A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.5V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

42pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

400mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

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