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VS-MBR735-N3

VS-MBR735-N3

僅供參考

型號 VS-MBR735-N3
PNEDA編號 VS-MBR735-N3
描述 DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,708
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-MBR735-N3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-MBR735-N3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-MBR735-N3, VS-MBR735-N3數據表 (總頁數: 7, 大小: 121.39 KB)
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VS-MBR735-N3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)7.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果840mV @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 35V
電容@ Vr,F400pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

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反向恢復時間(trr)

3ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 80V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

電容@ Vr,F

900pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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