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VS-MBRB1635TRR-M3

VS-MBRB1635TRR-M3

僅供參考

型號 VS-MBRB1635TRR-M3
PNEDA編號 VS-MBRB1635TRR-M3
描述 DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,168
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-MBRB1635TRR-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-MBRB1635TRR-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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VS-MBRB1635TRR-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)16A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果630mV @ 16A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 35V
電容@ Vr,F1400pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263 (D2Pak)
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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1400V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 275mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 30V

電容@ Vr,F

6pF @ 30V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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