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VS-MBRD660CTTR-M3

VS-MBRD660CTTR-M3

僅供參考

型號 VS-MBRD660CTTR-M3
PNEDA編號 VS-MBRD660CTTR-M3
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-MBRD660CTTR-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-MBRD660CTTR-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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VS-MBRD660CTTR-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果700mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 50V
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-PAK (TO-252AA)

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1.25V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 300V

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 400A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 1200V

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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