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VS-MURB820-1HM3

VS-MURB820-1HM3

僅供參考

型號 VS-MURB820-1HM3
PNEDA編號 VS-MURB820-1HM3
描述 DIODE GEN PURP 200V 8A TO-262
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-MURB820-1HM3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-MURB820-1HM3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-MURB820-1HM3, VS-MURB820-1HM3數據表 (總頁數: 8, 大小: 185.93 KB)
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VS-MURB820-1HM3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果975mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 600mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

TO-252AA

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5µA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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