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VS-MURB820HM3

VS-MURB820HM3

僅供參考

型號 VS-MURB820HM3
PNEDA編號 VS-MURB820HM3
描述 DIODE GEN PURP 200V 8A TO263
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-MURB820HM3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-MURB820HM3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-MURB820HM3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果975mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263 (D2Pak)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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100V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.73V @ 70A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

110ns

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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D-55

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

2A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

160pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

110ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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