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VS-MURB820TRRHM3

VS-MURB820TRRHM3

僅供參考

型號 VS-MURB820TRRHM3
PNEDA編號 VS-MURB820TRRHM3
描述 DIODE GEN PURP 200V 8A TO263
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,070
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-MURB820TRRHM3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-MURB820TRRHM3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-MURB820TRRHM3, VS-MURB820TRRHM3數據表 (總頁數: 8, 大小: 185.93 KB)
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VS-MURB820TRRHM3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果975mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263 (D2Pak)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.75V @ 800A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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1.5mA @ 30V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

500pA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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