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VS-SD1053C25S20L

VS-SD1053C25S20L

僅供參考

型號 VS-SD1053C25S20L
PNEDA編號 VS-SD1053C25S20L
描述 DIODE GP 2.5KV 1050A DO200AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-SD1053C25S20L資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-SD1053C25S20L
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-SD1053C25S20L, VS-SD1053C25S20L數據表 (總頁數: 11, 大小: 467.88 KB)
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VS-SD1053C25S20L規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)2500V
電流-平均整流(Io)1050A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.9V @ 1500A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr50mA @ 2500V
電容@ Vr,F-
安裝類型Clamp On
包裝/箱DO-200AB, B-PUK
供應商設備包裝DO-200AB, B-PUK
工作溫度-結點-

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650V

電流-平均整流(Io)

23A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 8A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 650V

電容@ Vr,F

415pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 267A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

9mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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800V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

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-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

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