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VS-SD600N20PC

VS-SD600N20PC

僅供參考

型號 VS-SD600N20PC
PNEDA編號 VS-SD600N20PC
描述 DIODE GEN PURP 2KV 600A B8
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-SD600N20PC資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-SD600N20PC
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-SD600N20PC, VS-SD600N20PC數據表 (總頁數: 8, 大小: 190.96 KB)
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VS-SD600N20PC規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)2000V
電流-平均整流(Io)600A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.31V @ 1500A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr35mA @ 2000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱B-8
供應商設備包裝B-8
工作溫度-結點-40°C ~ 180°C

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 10A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

16pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-57

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 100V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

270ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 8000V

電容@ Vr,F

-

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