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VS-SD703C25S30L

VS-SD703C25S30L

僅供參考

型號 VS-SD703C25S30L
PNEDA編號 VS-SD703C25S30L
描述 DIODE GP 2.5KV 790A DO200AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-SD703C25S30L資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-SD703C25S30L
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-SD703C25S30L規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)2500V
電流-平均整流(Io)790A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.85V @ 1500A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)3µs
當前-反向泄漏@ Vr50mA @ 2500V
電容@ Vr,F-
安裝類型Clamp On
包裝/箱DO-200AB, B-PUK
供應商設備包裝DO-200AB, B-PUK
工作溫度-結點-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

9.3pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.24V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

85µA @ 150V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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