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VSSAF3M10-M3/H

VSSAF3M10-M3/H

僅供參考

型號 VSSAF3M10-M3/H
PNEDA編號 VSSAF3M10-M3-H
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO221AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 27 - 一月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VSSAF3M10-M3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VSSAF3M10-M3/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VSSAF3M10-M3/H, VSSAF3M10-M3/H數據表 (總頁數: 5, 大小: 106.02 KB)
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VSSAF3M10-M3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列TMBS®, SlimSMA™
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果720mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 100V
電容@ Vr,F364pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-221AC, SMA Flat Leads
供應商設備包裝DO-221AC (SlimSMA)
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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