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VT6J1T2CR

VT6J1T2CR

僅供參考

型號 VT6J1T2CR
PNEDA編號 VT6J1T2CR
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 63,990
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VT6J1T2CR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VT6J1T2CR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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VT6J1T2CR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15pF @ 10V
功率-最大120mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝VMT6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250A

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1418pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 15V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.59nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

350mW

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安裝類型

Surface Mount

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A, 2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

66mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

功率-最大

600mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

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1.2nC @ 4.5V

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