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VT6K1T2CR

VT6K1T2CR

僅供參考

型號 VT6K1T2CR
PNEDA編號 VT6K1T2CR
描述 MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VT6K1T2CR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VT6K1T2CR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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VT6K1T2CR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7.1pF @ 10V
功率-最大120mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝VMT6

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-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1525pF @ 30V

功率-最大

-

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3115pF @ 25V

功率-最大

64W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13.5pF @ 3V

功率-最大

300mW

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.6mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1161pF @ 15V

功率-最大

48W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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