VWM200-01P
僅供參考
| 型號 | VWM200-01P |
| PNEDA編號 | VWM200-01P |
| 描述 | MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 |
| 制造商 | IXYS |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 2,664 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸) |
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VWM200-01P資源
| 品牌 | IXYS |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | VWM200-01P |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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VWM200-01P規格
| 制造商 | IXYS |
| 系列 | - |
| FET類型 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 100V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 210A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 5.2mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 4V @ 2mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 430nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| 功率-最大 | - |
| 工作溫度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 包裝/箱 | V2-PAK |
| 供應商設備包裝 | V2-PAK |
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