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W25M512JVFIQ TR

W25M512JVFIQ TR

僅供參考

型號 W25M512JVFIQ TR
PNEDA編號 W25M512JVFIQ-TR
描述 IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 10 - 一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W25M512JVFIQ TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W25M512JVFIQ TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W25M512JVFIQ TR, W25M512JVFIQ TR數據表 (總頁數: 91, 大小: 1,530.77 KB)
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W25M512JVFIQ TR規格

制造商Winbond Electronics
系列SpiFlash®
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

100ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR3

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-VFBGA

供應商設備包裝

96-FBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-VFBGA

供應商設備包裝

54-VFBGA (8x8)

W25Q32JWZPIQ

Winbond Electronics

制造商

Winbond Electronics

系列

SpiFlash®

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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