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W29GL256SL9C

W29GL256SL9C

僅供參考

型號 W29GL256SL9C
PNEDA編號 W29GL256SL9C
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 56TFBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W29GL256SL9C資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W29GL256SL9C
類別半導體內存IC內存
數據表
W29GL256SL9C, W29GL256SL9C數據表 (總頁數: 88, 大小: 3,281.3 KB)
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W29GL256SL9C規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁90ns
訪問時間90ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFBGA
供應商設備包裝56-TFBGA (7x9)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.6ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

300µs

訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

90-VFBGA (8x13)

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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