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W631GG6KB12J

W631GG6KB12J

僅供參考

型號 W631GG6KB12J
PNEDA編號 W631GG6KB12J
描述 IC SDRAM 1GBIT 96BGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W631GG6KB12J資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W631GG6KB12J
類別半導體內存IC內存
數據表
W631GG6KB12J, W631GG6KB12J數據表 (總頁數: 159, 大小: 5,318.91 KB)
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W631GG6KB12J規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-WBGA (9x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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