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W631GG8KB-11 TR

W631GG8KB-11 TR

僅供參考

型號 W631GG8KB-11 TR
PNEDA編號 W631GG8KB-11-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W631GG8KB-11 TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W631GG8KB-11 TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W631GG8KB-11 TR, W631GG8KB-11 TR數據表 (總頁數: 159, 大小: 2,842.83 KB)
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W631GG8KB-11 TR規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-WBGA (10.5x8)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

119-PBGA (14x22)

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內存接口

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時鐘頻率

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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寫周期-字,頁

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訪問時間

200ns

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