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W631GG8KB-12 TR

W631GG8KB-12 TR

僅供參考

型號 W631GG8KB-12 TR
PNEDA編號 W631GG8KB-12-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 4,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W631GG8KB-12 TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W631GG8KB-12 TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W631GG8KB-12 TR, W631GG8KB-12 TR數據表 (總頁數: 159, 大小: 2,842.83 KB)
PDFW631GG8KB15I TR數據表 封面
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W631GG8KB-12 TR規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-WBGA (10.5x8)

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Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

Parallel

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訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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