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W631GG8KB12I TR

W631GG8KB12I TR

僅供參考

型號 W631GG8KB12I TR
PNEDA編號 W631GG8KB12I-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W631GG8KB12I TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W631GG8KB12I TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W631GG8KB12I TR, W631GG8KB12I TR數據表 (總頁數: 159, 大小: 2,842.83 KB)
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W631GG8KB12I TR規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-WBGA (10.5x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-VFBGA

供應商設備包裝

168-FBGA (12x12)

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

Single Wire

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

256Kb (16K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

119-PBGA (14x22)

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Fremont Micro Devices Ltd

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

800kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

700ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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