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W631GG8MB12I TR

W631GG8MB12I TR

僅供參考

型號 W631GG8MB12I TR
PNEDA編號 W631GG8MB12I-TR
描述 IC SDRAM 1G 800MHZ IND 78BGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W631GG8MB12I TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W631GG8MB12I TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W631GG8MB12I TR, W631GG8MB12I TR數據表 (總頁數: 160, 大小: 6,093.4 KB)
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W631GG8MB12I TR規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-VFBGA
供應商設備包裝78-VFBGA (10.5x8)

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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內存類型

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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54-TSOP II

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

250ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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