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W632GG6KB12J

W632GG6KB12J

僅供參考

型號 W632GG6KB12J
PNEDA編號 W632GG6KB12J
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 2,682
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W632GG6KB12J資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W632GG6KB12J
類別半導體內存IC內存
數據表
W632GG6KB12J, W632GG6KB12J數據表 (總頁數: 159, 大小: 5,812.62 KB)
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W632GG6KB12J規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-WBGA (9x13)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

4Gb (128M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.3V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

138-UFBGA, WLBGA

供應商設備包裝

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Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

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