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W9412G6KH-4 TR

W9412G6KH-4 TR

僅供參考

型號 W9412G6KH-4 TR
PNEDA編號 W9412G6KH-4-TR
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 2,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W9412G6KH-4 TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W9412G6KH-4 TR
類別半導體內存IC內存

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W9412G6KH-4 TR規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率250MHz
寫周期-字,頁12ns
訪問時間48ns
電壓-供電2.4V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP II

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

100ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

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