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W9825G2JB-6I TR

W9825G2JB-6I TR

僅供參考

型號 W9825G2JB-6I TR
PNEDA編號 W9825G2JB-6I-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W9825G2JB-6I TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W9825G2JB-6I TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W9825G2JB-6I TR, W9825G2JB-6I TR數據表 (總頁數: 42, 大小: 1,251.4 KB)
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W9825G2JB-6I TR規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (8M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

576Mb (32M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-TBGA

供應商設備包裝

168-BGA (13.5x13.5)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

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