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W9864G6JT-6

W9864G6JT-6

僅供參考

型號 W9864G6JT-6
PNEDA編號 W9864G6JT-6
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 7,920
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W9864G6JT-6資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W9864G6JT-6
類別半導體內存IC內存
數據表
W9864G6JT-6, W9864G6JT-6數據表 (總頁數: 42, 大小: 1,301.7 KB)
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W9864G6JT-6規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x8)

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內存格式

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內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

28-CDIP

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (256 x 8 x 2)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

64Gb (8G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 3ms

訪問時間

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