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WPB4002-1E

WPB4002-1E

僅供參考

型號 WPB4002-1E
PNEDA編號 WPB4002-1E
描述 MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,574
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

WPB4002-1E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號WPB4002-1E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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WPB4002-1E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)23A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs360mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs84nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2200pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 220W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P-3L
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

955pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

27W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2980pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 120W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7020pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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