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XP151A12A2MR-G

XP151A12A2MR-G

僅供參考

型號 XP151A12A2MR-G
PNEDA編號 XP151A12A2MR-G
描述 POWER MOSFET, 20V, 1A, N-TYPE, S
制造商 Torex Semiconductor Ltd
單價 請求報價
庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

XP151A12A2MR-G資源

品牌 Torex Semiconductor Ltd
ECAD Module ECAD
制造商零件編號XP151A12A2MR-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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XP151A12A2MR-G規格

制造商Torex Semiconductor Ltd
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 606mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.49nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

66pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32.7nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

157W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 70W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

310mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

-

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

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Vgs(最大)

±20V

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功耗(最大值)

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