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ZDT649TC

ZDT649TC

僅供參考

型號 ZDT649TC
PNEDA編號 ZDT649TC
描述 TRANS 2NPN 25V 2A SM8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,416
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZDT649TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZDT649TC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZDT649TC, ZDT649TC數據表 (總頁數: 3, 大小: 68.87 KB)
PDFZDT649TC數據表 封面
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ZDT649TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1A, 2V
功率-最大2.75W
頻率-過渡240MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-223-8
供應商設備包裝SM8

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

300MHz, 200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 1mA, 10V

功率-最大

400mW

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500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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