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ZDT6702TA

ZDT6702TA

僅供參考

型號 ZDT6702TA
PNEDA編號 ZDT6702TA
描述 TRANS NPN/PNP DARL 60V 1.75A SM8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,978
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZDT6702TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZDT6702TA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZDT6702TA, ZDT6702TA數據表 (總頁數: 7, 大小: 114.64 KB)
PDFZDT6702TC數據表 封面
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ZDT6702TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN, PNP Darlington (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1.75A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.28V @ 2mA, 1.75A
當前-集電極截止(最大值)500nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V
功率-最大2.75W
頻率-過渡140MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-223-8
供應商設備包裝SM8

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10µA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 50mA, 3V

功率-最大

2W

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

225mV @ 15mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

500MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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