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ZMY30-GS18

ZMY30-GS18

僅供參考

型號 ZMY30-GS18
PNEDA編號 ZMY30-GS18
描述 DIODE ZENER 30V 1W DO213AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $1.7187
250 ---------- $1.6381
500 ---------- $1.5575
1,000 ---------- $1.4770
2,500 ---------- $1.4098
5,000 ---------- $1.3427
庫存 493
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZMY30-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZMY30-GS18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
ZMY30-GS18, ZMY30-GS18數據表 (總頁數: 5, 大小: 115.7 KB)
PDFZMYB8V2-GS18數據表 封面
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ZMY30-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)30V
公差±5%
功率-最大1W
阻抗(最大值)(閽zt)20 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 22.5V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AB, MELF (Glass)
供應商設備包裝DO-213AB

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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1W

阻抗(最大值)(閽zt)

2 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AB, MELF (Glass)

供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

12V

公差

±5%

功率-最大

350mW

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 9.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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安裝類型

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電壓-齊納(額定)(Vz)

8.2V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 6.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

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Microsemi

制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

62V

公差

±20%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

42 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 44.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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