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ZTX1151ASTZ

ZTX1151ASTZ

僅供參考

型號 ZTX1151ASTZ
PNEDA編號 ZTX1151ASTZ
描述 TRANS PNP 40V 3A E-LINE
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZTX1151ASTZ資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZTX1151ASTZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZTX1151ASTZ, ZTX1151ASTZ數據表 (總頁數: 4, 大小: 75.37 KB)
PDFZTX1151ASTZ數據表 封面
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ZTX1151ASTZ規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic240mV @ 250mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce250 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡145MHz
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱E-Line-3, Formed Leads
供應商設備包裝E-Line (TO-92 compatible)

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PNP

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700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 70mA, 700mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 1V

功率-最大

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

750mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 500mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

14 @ 300mA, 5V

功率-最大

35W

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-65°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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