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ZTX657STZ

ZTX657STZ

僅供參考

型號 ZTX657STZ
PNEDA編號 ZTX657STZ
描述 TRANS NPN 300V 0.5A E-LINE
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,806
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZTX657STZ資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZTX657STZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZTX657STZ, ZTX657STZ數據表 (總頁數: 2, 大小: 50.95 KB)
PDFZTX657STOB數據表 封面
ZTX657STOB數據表 頁面 2

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ZTX657STZ規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 100mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡30MHz
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱E-Line-3, Formed Leads
供應商設備包裝E-Line (TO-92 compatible)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

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Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 4A, 1V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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