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ZTX658QSTZ

ZTX658QSTZ

僅供參考

型號 ZTX658QSTZ
PNEDA編號 ZTX658QSTZ
描述 PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZTX658QSTZ資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZTX658QSTZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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ZTX658QSTZ規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 100mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡50MHz
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱E-Line-3, Formed Leads
供應商設備包裝E-Line (TO-92 compatible)

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.8V @ 40mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 1A, 2V

功率-最大

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 2A, 5V

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500mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 30mA, 10V

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