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ZTX788BSTZ

ZTX788BSTZ

僅供參考

型號 ZTX788BSTZ
PNEDA編號 ZTX788BSTZ
描述 TRANS PNP 15V 3A E-LINE
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZTX788BSTZ資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZTX788BSTZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZTX788BSTZ, ZTX788BSTZ數據表 (總頁數: 3, 大小: 65.75 KB)
PDFZTX788BSTOB數據表 封面
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ZTX788BSTZ規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic450mV @ 10mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce500 @ 10mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱E-Line-3, Formed Leads
供應商設備包裝E-Line (TO-92 compatible)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

200nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

360MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-85

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 10V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

380mV @ 300mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 1V

功率-最大

15W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

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