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ZVN4424ASTOA

ZVN4424ASTOA

僅供參考

型號 ZVN4424ASTOA
PNEDA編號 ZVN4424ASTOA
描述 MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,560
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZVN4424ASTOA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZVN4424ASTOA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ZVN4424ASTOA, ZVN4424ASTOA數據表 (總頁數: 6, 大小: 662.26 KB)
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ZVN4424ASTOA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)240V
電流-25°C時的連續漏極(Id)260mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.8V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±40V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)750mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱E-Line-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V, 16V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 14A, 16V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2410pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO247-3

包裝/箱

TO-247-3

DMP3007SCG-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2826pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

800mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 140A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9370pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

370W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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