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ZVP2110ASTZ

ZVP2110ASTZ

僅供參考

型號 ZVP2110ASTZ
PNEDA編號 ZVP2110ASTZ
描述 MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 8,910
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZVP2110ASTZ資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZVP2110ASTZ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ZVP2110ASTZ, ZVP2110ASTZ數據表 (總頁數: 3, 大小: 70.8 KB)
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ZVP2110ASTZ規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)230mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 375mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝E-Line (TO-92 compatible)
包裝/箱E-Line-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

475nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7585pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

515W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

640mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

62pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

190mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5160pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 83.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 840mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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