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ZX3CDBS1M832TA

ZX3CDBS1M832TA

僅供參考

型號 ZX3CDBS1M832TA
PNEDA編號 ZX3CDBS1M832TA
描述 TRANS NPN 20V 4.5A 3X2MM 8MLP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZX3CDBS1M832TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZX3CDBS1M832TA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZX3CDBS1M832TA, ZX3CDBS1M832TA數據表 (總頁數: 9, 大小: 224.74 KB)
PDFZX3CDBS1M832TA數據表 封面
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ZX3CDBS1M832TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN + Diode (Isolated)
當前-集電極(Ic)(最大值)4.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic270mV @ 125mA, 4.5A
當前-集電極截止(最大值)25nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2A, 2V
功率-最大3W
頻率-過渡140MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-MLP/DFN (3x2)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 150mA, 7.5A

當前-集電極截止(最大值)

200µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 7.5A, 3V

功率-最大

70W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

200mW

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 5A, 25A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 15A, 4V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2.5A, 5V

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